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T: Teilchenphysik

T 103: Halbleiterdetektoren I

T 103.1: Vortrag

Montag, 10. März 2003, 16:15–16:30, FO8

Strahlungsinduzierte Defekte in verschieden Siliziummaterialien nach Pionenbestrahlung — •Jörg Stahl¹, Eckhart Fretwurst¹, Gunnar Lindström¹ und Ioana Pintilie² — ¹Inst. f. Exp. Physik, Universität Hamburg — ²NIMP, Bucharest-Magurele

Capacitance Deep Level Transient Spectroscopy (C-DLTS) Messungen wurden an vier verschiedenen Siliziummaterialien durchgeführt. Dabei handelt es sich um Standard Floatzone(STFZ), Diffusion Oxygenated Floatzone(DOFZ) und zwei Arten von wärmebehandeltem Czochralski Material (Thermodonator killed und Thermodonator generated). Die Materialien wurden vor und nach der Bestrahlung mit 192 MeV Pionen am PSI charakterisiert. Ausserdem wurde das Verhalten der dominanten elektrisch aktiven Defekte nach Kurzzeit- und Langzeitausheilung bei 80^∘C untersucht.