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T: Teilchenphysik

T 103: Halbleiterdetektoren I

T 103.3: Vortrag

Montag, 10. März 2003, 16:45–17:00, FO8

Trappingeffekte in verschieden Siliziummaterialien nach Pionen- und Protonenbestrahlung — •Frank Hönniger¹, Eckhart Fretwurst¹, Gregor Kramberger², Gunnar Lindström¹ und Jörg Stahl¹ — ¹Inst. f. Exp. Physik, Universität Hamburg — ²DESY, Hamburg

Es wurde der Ladungsträgereinfang durch strahleninduzierte Defekte in Detektoren aus verschiedenen Siliziummaterialien nach Bestrahlung mit 192 MeV Pionen am PSI sowie 20 GeV-Protonen am PS-CERN untersucht. Die Detektoren wurden aus unterschiedlich wärmebehandelten Czochralski-Material (Thermodonator (TD) killed, TD generated), <100> und <111> Standard Float-Zone (STFZ) sowie <100> und <111> ”Diffusion Oxygenated Float-Zone” (DOFZ) Material hergestellt. Aus der Aufnahme von Stromimpulsen bei Beleuchtung der Front- und Rückelektrode mit kurzzeitigen (1ns) 670nm Laserimpulsen in Abhängigkeit von der Sperrspannung und der Temperatur konnte die Trappingzeitkonstante für Elektronen und Löcher getrennt bestimmt werden.