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T: Teilchenphysik
T 103: Halbleiterdetektoren I
T 103.6: Vortrag
Montag, 10. März 2003, 17:30–17:45, FO8
Strahlungshärte von CMS-Siliziumstreifensensoren — •Alexander Furgeri, W. de Boer, A. Dierlamm, J. Hagmann, F. Hartmann, C. Menge, Th. Müller und Th. Punz — Institut für Experimentelle Kernphysik, Universität Karlsruhe (TH)
Die Siliziumstreifensensoren des CMS-Spurdetektors werden während einer Laufzeit von 10 Jahren am LHC einer Strahlenbelastung von 1,6· 1014neq(1MeV)/cm2ausgesetzt.
Um die Funktionsfähigkeit dieser Sensoren nach 10 Jahren am LHC zu gewährleisten, werden im Rahmen der Qualitätskontrolle einzelne Sensoren am Karlsruher Kompaktzyklotron bestrahlt und ihre elektrischen Eigenschaften bestimmt.
In diesem Beitrag werden die Depletionsspannungen vor und nach Bestrahlung dargestellt und der Einfluss der Flachbandspannungen zwischen SiO2 und n-dotiertem Si auf die Zwischenstreifenkapazität anhand von Messergebnissen diskutiert.