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T: Teilchenphysik
T 103: Halbleiterdetektoren I
T 103.8: Talk
Monday, March 10, 2003, 18:00–18:15, FO8
Ladungssammlungsverhalten von Sensoren für den ATLAS-Pixeldetektor — •O. Krasel, C. Gößling, J. Klaiber-Lodewigs, R. Klingenberg, M. Maß und R. Wunstorf — Lehrstuhl f. Experimentelle Physik IV, Universität Dortmund
Zur Spurrekonstruktion im ATLAS-Experiment kommen als innerste Lagen Silizium-Pixeldetektoren zur Verwendung. Da die Sensoren bei diesem Einsatz einem sehr hohen Strahlungsfeld (bis zu 1· 1015 1MeVneq/cm2) ausgesetzt sind, ist die genaue Kenntnis des Ladungssammlungsverhaltens bei unterschiedlich starken Strahlenschäden von großer Bedeutung.
Der Ladungssammlungsverlust wird durch die Trapping-Zeitkonstante beschrieben. Diese wird aus zeitaufgelösten Messungen des Detektorsignals (Transient Current Technique, TCT) mit Hilfe der Ladungskorrektur-Methode bestimmt, die es auch erlaubt, Aussagen über die Feldkonfiguration in geschädigten Detektoren zu machen.
Die Ergebnisse der TCT-Messungen sollen mit Resultaten zu der Ladungssammlung bei Bestrahlung mit einer α-Quelle verglichen werden. Mit Hilfe von berechneten effektiven Ladungssammlungszeiten läßt sich daraus ebenfalls die Trapping-Zeitkonstante bestimmen.