Aachen T 2003 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 403: Halbleiterdetektoren IV

T 403.2: Vortrag

Mittwoch, 12. März 2003, 14:15–14:30, FO8

Untersuchungen zur Signalentwicklung in Silizium-Sensoren mittels TCT — •F. Hauler, J. Bol, W. de Boer, A. Dierlamm, L. Jungermann und S. Waldschmitt — Institut für Experimentelle Kernphysik, Universität Karlsruhe

Bei der Transient Current Technique (TCT) wird ein kurzer (∼ 80 ps) roter (660 nm) Laserpuls auf den in Sperrichtung betriebenen Sensor gegeben und der zeitliche Verlauf des generierten Stromes analysiert. Man erhält Informationen über Feldverteilung, Driftzeit der Ladungsträger und Depletionsspannung. Daraus lässt sich auch die Mobilität berechnen, welche großen Einfluss auf den Lorentzwinkel hat. Dieser wird umso größer je stärker das Magnetfeld und je tiefer die Betriebstemperatur der Sensoren ist. Der Einbau des Messaufbaus in einen Kryostaten ermöglicht eine Messung von Raumtemperatur bis 77 K.