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Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 7: Poster

DF 7.2: Poster

Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–18:00, P2a

Temperaturabhängigkeit der Quadrupolwechselwirkung für 111-In in Saphir — •Jakob Penner und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14–16, 53115 Bonn

Die Quadrupolwechselwirkung von 111In nach Implantation in Saphir wurde von verschiedenen Gruppen mit Hilfe der PAC untersucht [1,2]. Es zeigte sich, dass nach 30min Tempern bei 873K ca. 50% der Sonden auf weitgehend ungestörten Gitterplätzen eingebaut sind und einer Quadrupolwechselwirkung von 218(3)MHz unterliegen [2].

Messungen in [3] bestätigen diesen Wert und ergaben, dass der Anteil fu der Sonden auf diesen ungestörten Gitterplätzen nach der Implantation ein Maximum hat und Tempern bei bis zu 1273K 120s lang dazu führt, dass sich fu bis auf 8% verringert.

Wir haben speziell Messungen bei erhöhter Probentemperatur durchgeführt.

Ab einer Probentemperatur von 760K steigt fu stark und erreicht bei 973K ein Maximum von 100%. Dieses Verhalten ist vollständig reversibel, d.h. bei einer erneuten Messung bei 500K fällt fu wieder auf unter 5%.

Ein ähnlicher Verlauf wurde für 111In in GaN gefunden [4]. Mögliche Ursachen dieses Verhaltens werden diskutiert.

[1] J.Kesten; Hyp. Int. 52(1989)17

[2] S.Habenicht; Hyp. Int. 120–121(1999)445

[3] K.Lorenz, Dissertation, Univ. Bonn, 2002

[4] K.Lorenz; Appl. Phys. Lett. 80(2002)4531

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