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Dresden 2003 – scientific programme

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 8: Dielektrische und ferroelektrische Schichten, Nanostrukturen und Rastermethoden

DF 8.6: Talk

Thursday, March 27, 2003, 11:30–11:50, HSZ/403

Ausheilung von BaTiO3 Dünnschichten nach Schwerionenimplantation — •M. Dietrich1, Ch. Buchal2, J.G. Correia3, M. Deicher4, M. Schmid2, M. Uhrmacher5, U. Vetter5 und U. Wahl31Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 2ISG, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52428 Jülich — 3Instituto Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, P-2685 Sacavém, Portugal — 4Fachbereich Physik, Universität Konstanz, 78457 Konstanz — 5II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, 37073 Göttingen

Einkristalline BaTiO3 Schichten, gewachsen mittels gepulster Laser-deposition auf SrTiO3, wurden am Göttinger Implanter mit radioaktiven 111In-Ionen mit Energien von 60 bzw. 400 keV implantiert. Der Gitterplatz des 111In wurde mittels Emissionschanneling der beim Kernzerfall emittierten Konversionselektronen bestimmt. Neben einem großen Anteil zufällig geführter Elektronen lassen sich direkt nach der Implantation ca. 10 % der Ereignisse auf Sonden zurückführen, die Ti-Gitterplätze eingenommen haben. Die Rekristallisierung des Gitters nach der Implantation in unmittelbarer Nähe der Sonden wurde mit der Methode der gestörten γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) für einen weiten Temperaturbereich untersucht. Nach Probenbehandlung an Luft bei einer Temperatur von 1350 K für 10 min ergibt sich eine Quadrupolkopplungskonstante von 30.0(2) MHz mit einer Frequenzverteilung von 4.1(2) MHz Breite. SEM- und EDX-Untersuchungen zeigen die beginnende Zersetzung der BaTiO3-Schicht nach dem Anlassen auf 1520 K.

Diese Arbeit wurde gefördert von BMBF (05 KK1TSA/7) und FCT-Portugal (CERN-FIS-43725-2001).

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