Dresden 2003 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 18: Ionenstrahlverfahren I – Schichtherstellung und Schichtwachstum
DS 18.4: Talk
Thursday, March 27, 2003, 16:00–16:15, GER/37
Neue Entwicklunngen bei der massenseparierten Ionenstrahldeposition dünner Schichten — •Holger Stillrich, Sören Eyhusen, Carsten Ronning, Inga Gerhards und Hans Hofsäss — 2. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen
Die massenseparierte Inonenstrahldeposition (MSIBD) bietet die Möglichkeit Schichten mit (nahezu) beliebiger Zusammensetzung unter kontrollierten Depositionsbedingungen herzustellen. Daher konnten mit dieser Methode besonders erfolgreich die Wachstumsprozesse von diamantähnlichen Materialien studiert werden. Auf Grund geringer Ionenströme und kurzlebiger Ionenquellen waren die Schichtgrößen und -dicken bisher auf 1cm2 bzw. 100nm begrenzt. In dieser Präsentation wird ein Beschleuniger vorgestellt, der vom Implanter zu einer Depositionsanlage umgebaut wurde und langzeitstabil eine Vielzahl von neuen Elementen liefert. Dies wird an Beispielen von (Au-haltigen) amorphen Kohlenstoff- und Aluminium-Nitrid-Schichten demonstriert. Solche Schichten wurden zusätzlich mittels Rutherford-Rückstreuung (RBS), Profilometrie, TEM, Ramanspektroskopie und Härtemessung untersucht. Die Ergebnisse werden in diesem Beitrag vorgestellt.