Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.11: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Spontane Selbstordnung in In_0.75Ga_0.25As_0.5P_0.5 auf atomarer Skala — •S. Kagel¹, M. Wenderoth¹, T. C. G. Reusch¹, J. Spieler², S. Neumann³ und R. G. Ulbrich¹ — ¹IV. Phys. Inst. der Univ. Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — ²Inst. für Technische Physik I, Univ. Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen — ³Fachgebiet Halbleitertechnik, Gerhard-Mercator-Univ. Duisburg, Lotharstr. 55, ZHO, 47057 Duisburg

Ordnung in ternären und quaternären III-V-Halbleitern ist seit längerer Zeit Gegenstand intensiver Forschung [1]. Mit Hilfe von Querschnitts-Rastertunnel-Mikroskopie (XSTM) haben wir teilgeordnetes In_0.75Ga_0.25As_0.5P_0.5 auf atomarer Skala studiert. An Hand unterschiedlicher elektronischer Kontraste der nicht äquivalenten (110)- und (110)-Spaltflächen untersuchten wir die dreidimensionale Ordnungsstruktur. Konstantstrombilder für negative und positive Spannungen deuten darauf hin, dass CuPt_B-Ordnung sowohl im Gruppe-III als auch im Gruppe-V-Untergitter vorliegt. Auf Nanometer-Skala wurden Legierungsfluktuationen, Ordnungsdomänen und Antiphasengrenzen beobachtet. Rastertunnelspektroskopische Untersuchungen mit Lichteinstrahlung (n_e=6 · 10¹⁸ cm⁻³) zeigten eine homogene elektronische Struktur.
Diese Arbeit wurde gefördert im Rahmen des Sonderforschungsbereichs 602 (TP A7).

[1] A. Zunger and S. Mahajan, Handbook of Semiconductors, pg. 1399-1514, edited by T.S. Moss, Elsevier Science (1994)