Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.13: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

VUV-XUV-Ellipsometrie mit Synchrotronstrahlung: Optische Charakterisierung von Nitridhalbleitern — •Munise Rakel¹, C. Cobet¹, T. Schmidling¹, M. Drago¹, W. Richter¹, N. Esser¹ und O. Ambacher² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — ²Institut für Physik, Technische Universität Ilmenau

Die Untersuchung von Halbleitermaterialien mittels spektroskopischer Ellipsometrie oberhalb des fundamentalen Bandabstandes ermöglicht die direkte Bestimmung der dielektrischen Funktion ε, aus deren Struktur Informationen über Lage und Art von Interbandübergängen, sowie Core-level-Anregungen abgeleitet werden können. Der neue Berliner Elektronenspeicherring BESSY II stellt mit seiner anähernd punktförmigen Synchrotronlichtquelle hoher Intensität ideale Bedingungen auch für oberflächensensitive Messungen in diesem Spektralbereich zur Verfügung. Die ersten Messungen bei BESSY II wurden vor allem an InN - InAlN aber auch an GaN-Proben, die mit verschiedenen Wachstumsmethoden hergestellt wurden, durchgeführt. Bei dem Vergleich mit Ergebnissen aus DFT-LDA-Rechnungen zeigen die experimentell bestimmten optischen und elektronischen Eigenschaften von InN im Gegensatz zu GaN noch deutliche Differenzen, deren Herkunft u.a. der Oberflächenbeschaffenheit zugeordnet wird.