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Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.65: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Selbstjustierende Prozessierung indexgeführter InGaN/GaN-Laserdioden mit Stegwellenleiter — •A. Leber, A. Weimar, S. Miller, S. Bader, G. Brüderl, V. Kümmler, A. Lell und V. Härle — OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg

Schmale Stegwellenleiter-Strukturen werden zur Herstellung GaN-basierter Laserdioden für den blau-violetten Spektralbereich bevorzugt verwendet. Für kinkfreien Betrieb und geringe Schwellenströme sind dabei Wellenleiterbreiten ≤ 1,5   µ m anzustreben [1].
Der elektrische Anschluss der p-GaN-Kontaktschicht erfordert eine Öffnung der ganzflächig abgeschiedenen SiO2-Passivierung auf dem Steg. Findet der dazu notwendige fotolithografische Schritt über Kontaktbelichtung statt, so ist die Ausbeute an Laserdioden mit Stegbreiten kleiner 2   µ m aufgrund der begrenzten Justiergenauigkeit sehr gering.
In diesem Beitrag soll ein Verfahren vorgestellt werden, mit dem es möglich ist, die Kontaktöffnung selbstjustierend durch Lift-off eines “Opferschicht”-Systems zu prozessieren. Dadurch wird das Justageproblem eliminiert und die Anzahl der notwendigen Fotolithografieprozesse reduziert.
Durch Anwendung dieses Verfahrens konnten InGaN/GaN-Laserdioden mit 1,5   µ m breiten Stegwellenleitern bei hoher Bauteil-Ausbeute hergestellt werden.

[1] T. Tojyo et. al. , Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1829 (2002)

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