Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.66: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Alterungs–Untersuchungen von (In/Al)GaN Lasern mit Verstärkungs-Messungen nach Hakki–Paoli — •Evi Sturm¹, Ulrich T. Schwarz¹, Stefan Bader², Andreas Weimar², Volker Kümmler², Georg Brüderl², Alfred Lell² und Volker Härle² — ¹Naturwissenschaftliche Fakultät II - Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg, Germany

Ein Zugang zu den physikalischen Phänomenen währen der Alterung von Halbleiterlaserdioden ist die Messung der Verstärkungs–Spektren nach Hakki und Paoli. Ein Vorteil dieser Methode ist die hohe Genauigkeit der Bestimmung der Verstärkung bei niedriger und variierbarer Stromdichte. Wir stellen ein Experiment zur Verstärkungs–Messung nach Hakki–Paoli an blauen (In/Al)GaN Halbleiter–Laserdioden vor. Verstärkungs-Spektren werden an fertig prozessierten Lasern während der Alterung gemessen und mit Spektren bei unterschiedlichen Stromdichten und Substrat–Temperaturen verglichen. Die Laser werden bei der Verstärkungs–Messung knapp unter der Laser–Schwelle betrieben. Deshalb lassen sich die Ergebnisse gut mit Experimenten zur Alterung im Laser–Betrieb vergleichen. Alternative Auswertungen der Verstärkungs–Messung nach Cassidy und nach Hofstetter (Fourier–Methode) werden diskutiert.