Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 24.5: Talk
Tuesday, March 25, 2003, 16:15–16:30, BEY/118
Korrelationsuntersuchungen von strukturellen und optischen Eigenschaften von (InxGa1−xN/GaN)-Multiquantumwellstrukturen auf Si(111) — •Fabian Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar, M. Poschenrieder und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg
Die gezielte Optimierung von nitridischen Halbleiterschichtsystemen zur Herstellung von optischen Bauelementen auf Si(111) bedarf der genauen Kenntnis der Zusammenhänge von Wachstumsparameter, struktureller und optischer Eigenschaften der Proben. Mittels röntgenografischer Strukturuntersuchungen wurden daher Probenserien unterschiedlicher MOCVD-Abscheideparameter wie: Temperatur, Gasfluss und Wachstumszeit eingehend untersucht und deren Einfluss auf die Probenstruktur ermittelt. Die Kombination von hochauflösender Röntgendiffraktometrie (HRXRD) und Röntgenreflektometrie (XRR) ist hierbei insbesondere zur genaueren Bestimmung der In-Konzentrationen notwendig. Bei nominell 30% konnten dabei In-Fluktuationen von 20% bis 35% sowie ein extremer Anstieg der Grenzflächenrauhigkeiten nachgewiesen werden. Mittels Photolumineszenzmessungen wurden die Emissionsspektren der Probenserien ermittelt und mit den Schichtparametern korreliert. Die Wahl eines wellenlängenoptimierten Parametersatzes und der Einfluss von Probendotierung werden diskutiert.