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HL: Halbleiterphysik

HL 33: II-VI Halbleiter I

HL 33.9: Talk

Wednesday, March 26, 2003, 18:15–18:30, BEY/118

Ballistischer Transport in magnetisch verunreinigten, nanostrukturierten HgTe-Quantentrögen — •V. Daumer, M. Gbordzoe, V. Hock, M. Schäfer, C.R. Becker, H. Buhmann und L.W. Molenkamp — Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Die Kontrolle des magnetischen Zustands in verdünnt magnetischen Halbleitern ist für spinpolarisierten Transport wichtig. Hochbewegliche HgTe Quantentröge können substitutionell mit Mn Ionen magnetisch verunreinigt werden. Um den Einfluss des Mn und den Magnetisierungsprozess zu untersuchen, fertigen wir ballistische Bauelemente. Hier zeigen wir die ersten erfolgreich strukturierten Mikro-Hall-Kreuze auf HgTe. In Kreuzen mit einer Kanalbreite von 500 nm und darunter messen wir einen nicht-lokalen Widerstand und den anomalen Hall-Effekt. Diese Beobachtungen wären im diffusiven Transportregime nicht möglich. Diese ballistischen Bauteile eröffnen die Möglichkeit das zweidimensionale Elektronengas als Sensor für den magnetischen Zustand des verdünnt magnetischen Halbleiters zu verwenden. Somit können lokale Anomalien aufgezeigt werden, sowie die Größe eventuell vorhandener Mn-Cluster bestimmt werden. Darüber hinaus bieten solche Bauteile das Potenzial, als magnetisierungsabhängige Schalter zu fungieren.