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Dresden 2003 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 12: Postersitzung (Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Grenzfl
äche fest-flüssig, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Rastersondentechniken, Methodisches)

O 12.29: Poster

Monday, March 24, 2003, 18:00–21:00, P1

Grenzflächen leitender Oxide — •Frank Säuberlich und Andreas Klein — Technische Universität Darmstadt, Institut für Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt

Es wurden unterschiedliche Grenzflächen leitfähiger Oxide wie ZnO, In2O3 oder TiO2 mit II-VI Halbleitern präpariert und mittels Photoelektronenspektroskopie untersucht. Alle Grenzflächen zeigen große Dipole von 0.5−1.0 eV im Vakuumniveau. Diese entsprechen einem Elektronentransfer aus dem Oxid in den Halbleiter. Eine theoretische Berechnung der Bandanpassung für die atomar scharfe ZnO/CdS-Grenzfläche [1] stimmt mit unserem experimentellen Wert überein. Dies weist auf die intrinsische Natur des Ladungstransfers, dessen Ursache jedoch zunächst nicht verstanden ist. Zusätzlich zu den Grenzflächendipolen zeigen die abgeschiedenen dünnen Schichten eine charakteristische Entwicklung der Bindungsenergiedifferenz zwischen kationischem und anionischem Rumpfniveau mit der Schichtdicke. Diese betreffen nur die aufwachsende Schicht und nicht das Substrat, unabhängig von der Beschichtungsreihenfolge.

[1] S.-H. Wei und A. Zunger, J. Appl. Phys. 78, 3846 (1995)

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