Dresden 2003 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
O: Oberflächenphysik
O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 24.83: Poster
Wednesday, March 26, 2003, 14:30–17:30, P1
Oberflächenterminierung von reinem und (Y-dotiertem) tetragonalem Zirkonoxid und der Einfluss eines Metallträgers — •Andreas Eichler und Jürgen Hafner — Inst. f. Materialphysik und Center for Computational Materials, Universität Wien, Sensengasse 8/12, A-1090 Wien
Für Oxidoberflächen gibt es im allgemeinen mehrere Möglichkeiten der Oberflchenterminierung. Im Fall von Zirkonoxid besteht hier die Möglichkeit einer metallischen Zr-Terminierung, einer (stöchiometrischen) O Terminierung, oder einer (sauerstoffreichen) O2 Terminierung. Mithilfe von Dichtefunktionaltheorierechnungen wurde die Stabilität dieser unterschiedlichen Oberflächen als Funktion des Sauerstoffpartialdruckes am Beispiel der (111) und (001) Oberfläche untersucht. Für die (stabilere) (111) Oberfläche wurde zusätzlich auch noch die Adsorption von Wasserstoff (in Abhängigkeit des chemischen Potentials) in Betracht gezogen. Für beide Oberflächenorientierungen wurde weiterhin der Einfluss von Y-Dotierung betrachtet. Schließlich wurde das Oxid auf unterschiedlichen Substratmetallen (Ir,Rh,Pd,Pt,Cu) aufgebracht. Die Oberflächenenergie des Oxids auf den unterschiedlichen Metallträgern wurde bestimmt und die Abhängigkeit analysiert.