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MO: Molekülphysik
MO 6: Poster I
MO 6.8: Poster
Dienstag, 25. März 2003, 16:00–18:30, Lichthof
Hochauflösende Elektronenanlagerung an SF6 — •M. Braun, S. Barsotti, S. Marienfeld, M.-W. Ruf und H. Hotop — FB Physik, Universität Kaiserslautern
Es wurde die Bildung von SF6− und SF5− bei Elektronenanlagerung an SF6 temperaturabhängig im Bereich 300 K bis 600 K mit zwei Methoden untersucht. Die Laser Photoelectron Attachment (LPA) - Methode[1] umfasst den Energiebereich von 0 bis 200 meV bei einer Auflösung von 1 meV. Bei der modifizierten LPA - Methode wird die Erzeugung der Elektronen und Anlagerung räumlich getrennt und durch Anlegen von elektrischen Feldern unter Magnetfeldführung die gewünschte Energie E im Bereich von 0 bis 1,5 eV eingestellt. Die dabei erreichte Auflösung beträgt 20 meV. Während bei SF6− der Querschnitt für zunehmende Temperaturen zurückgeht, wächst der SF5− Querschnitt bei E≈ 0 von sehr kleinen Werten im Vergleich zu SF6− (10−3) ab einer Temperatur von 400 K stark an, woraus sich die Aktivierungsenergie zu 0,24 eV für diesen Kanal bestimmen lässt. Ab einer Energie von 0,4 eV zeigt SF5− einen Anstieg im Querschnitt, der für 0,6 eV ein Maximum hat und dessen Querschnitt (fast) unabhängig von der Temperatur ist. Diese Arbeit wurde unterstützt durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft (Forschergruppe Niederenergetische Elektronenstreuprozesse) und das Zentrum für Lasermesstechnik und Diagnostik
[1] D. Klar, M.-W. Ruf, H. Hotop, Int. J. Mass Spectrom., 205, (2001), 93