Kiel 2004 – wissenschaftliches Programm
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K: Kurzzeitphysik
K 5: Poster Kurzzeitphysik
K 5.1: Poster
Mittwoch, 10. März 2004, 17:45–19:45, Foyer
Frequenzskalierung einer EUV-Quelle auf Basis einer Pseudofunkenentladung — •Oliver Rosier1, Klaus Bergmann2, Willi Neff2, Rolf Wester2, Rolf Apetz3, Jeroen Jonkers 3 und Joseph Pankert3 — 1Lehrstuhl für Lasertechnik, 52074 Aachen, Germany, Steinbachstr. 15 — 2Fraunhofer Institut für Lasertechnik, 52074 Aachen, Germany, Steinbachstr. 15 — 3Philips Extreme UV GmbH, 52074 Aachen, Germany, Steinbachstr. 15
Die extrem ultraviolett Lithographie (EUVL) gilt als das aussichtsreichste Konzept für die Erzeugung von Halbleiterstrukturen auf der 10 Nanometerskala. Quellen für die EUV-Lithographie müssen Anforderungen z.B. an die emittierte Leistung, die Lebensdauer und die Repetitionsrate (>7kHz) erfüllen. Die von uns entwickelte EUV-Quelle ist ein hohlkathoden-getriggertes (HCT) Pinchplasma auf Basis der Pseudofunkenentladung. Durch eine Hochstromentladung (I ∼ 10kA ) wird in einer Xenonatmosphäre (pXe≃ 10 Pa) zwischen zwei Elektroden ein Plasmakanal gezündet. Durch die Kompression des Plasmakanals im Eigenmagnetfeld werden Temperaturen und Dichten (Te ≃ 20 eV, ne ≃ 1018cm−3) erzeugt, die für die Emission von EUV-Strahlung notwendig sind. Um wiederholt Spannung an die Elektroden anlegen zu können, muß der Bereich zwischen den Elektroden nach einer Entladung durch Rekombinationsprozesse wieder hochohmig werden. Die Zeitskala auf der diese Prozesse stattfinden bestimmen die erreichbare Repetitionsrate. Es wird diskutiert welche Prozesse die Rekombination bestimmen, und daraus abgeleitet wie die Repetitionsrate erhöht werden kann.
Die Arbeit wurde gefördert durch das BMBF (Projekt-Nr. 13N8132).