Kiel 2004 – wissenschaftliches Programm
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P: Plasmaphysik
P 10: Postersitzung: Niedertemperaturplasmen Plasmatechnologie II, Staubige Plasmen II, Magnetischer Einschluss II
P 10.15: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 17:45–19:30, Foyer
Messung von Ionisierungsquerschnitten plasmatechnologisch relevanter Moleküle — •Ralf Basner — Institut für Niedertemperatur-Plasmaphysik, F.-L.-Jahn-Str. 19, 17489 Greifswald
Die direkte und die dissoziative Elektronenstoßionisierung von reaktiven Molekülen sind fundamentale Prozesse in Niederdruckplasmen für technische Anwendungen. Die Quantifizierung des Ionisierungsprozesses ist unerlässlich für das Verständnis, die Modellierung und die Optimierung der jeweiligen Plasmabedingungen. Die absoluten partiellen Querschnitte für die einfach und die doppelt geladenen positiven Ionen der Prozessgase Chlor (Cl2) und Siliziumtetrachlorid (SiCl4) wurden mit einem speziellen Flugzeitmassenspektrometer im Energiebereich vom Schwellwert bis zu 200 eV experimentell bestimmt. Im Bereich niedriger Stoßenergien dominiert für Cl2 die direkte Ionisierung zu Cl2 + und erst bei Energien ab 40 eV nimmt die dissoziative Erzeugung von Cl+ vergleichbare Werte an. Beim SiCl4 werden im unteren Energiebereich SiCl4 + und SiCl3 + zunächst nahezu gleichwertig erzeugt und erst mit wachsender Stoßenergie verschiebt sich der Schwerpunkt zugunsten der dissoziativen Ionisierung. Die Fragmentionen beider Moleküle werden vollständig erfasst, obwohl für sie das Auftreten von zum Teil erheblichen kinetischen Anfangsenergien nachgewiesen wird. Die Summe aller partiellen Querschnitte ergibt den totalen Ionisierungsquerschnitt.