Mainz 2004 – wissenschaftliches Programm
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T: Teilchenphysik
T 601: Halbleiterdetektoren VII
T 601.4: Vortrag
Donnerstag, 1. April 2004, 11:25–11:40, RW 3
Messungen an DEPFET-Doppelpixeln und kleinen Matrizen für einen Pixelvertexdetektor bei TESLA — •R. Kohrs1, L. Andricieck2, P. Fischer3, M. Harter3, M. Karagounis1, H. Krüger1, G. Lutz2, I. Peric1, R.H. Richter2, L. Strüder2, J. Treis2, M. Trimpl1, J. Ulrici1 und N. Wermes1 — 1Universität Bonn, Physikalisches Institut, Nußallee 12, 53115 — 2MPI Halbleiterlabor, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München — 3Universität Mannheim, Technische Informatik, D7, 68131
DEPFET-Sensoren sind neuartige Pixelsensoren, die durch die Integration der ersten Verstärkerstufe in jeden einzelnen Sensorpixel besonders niedrige Rauschwerte aufweisen. Die Signalelektronen werden in einem Bereich unter dem Transistorkanal (im sog. Internen Gate) gesammelt und modulieren so den Transistorstrom. Aktuelle DEPFET-Sensoren, die speziell an die Anforderungen im TESLA Linearbeschleuniger angepasst wurden, sind 2003 produziert und getestet worden. Charakteristische Änderung im neuen Layout sind rechteckige, ca. 20 x 25 µ m2 kleine Pixel, die als p-Kanal MOSFETs realisiert worden sind. Messungen an Doppelpixeln zeigen ein sehr geringes Rauschen von ENC < 10 e− und die Möglichkeit, das Interne Gate vollständig zu leeren. Diese und weitere Messungen werden vorgestellt.