Q 9: Festkörper- und Halbleiterlaser
Monday, March 22, 2004, 16:30–18:30, HS 218
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16:30 |
Q 9.1 |
Photo-Physical and Lasing Characterisation of Neat Films of a Thianthren-Phenyl-Vinylene-Paraphenylene Dye — •Alfons Penzkofer, Wolfgang Holzer, Hans-Heinrich Hörhold, and ernst-Eberhard Kley
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16:45 |
Q 9.2 |
Emissionsdynamik von Festkörperlasern: Modellierung räumlich inhomogener Verstärkung — •Oliver Back, Christoph Czeranowsky, Klaus Sengstock und Valeri Baev
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17:00 |
Q 9.3 |
All solid-state intra-cavity Raman-Laser bei 1.53 µm — •Karsten Scholle, Eugen Osiac, Ernst Heumann und Günter Huber
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17:15 |
Q 9.4 |
Leistungsskalierung von Faserverstärkern durch kohärentes Koppeln — •Sven Höfer, Holger Zellmer und Andreas Tünnermann
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17:30 |
Q 9.5 |
Inkohärente Kopplung von Halbleiterlaserbarren — • Andreas Jechow, Volker Raab und Ralf Menzel
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17:45 |
Q 9.6 |
Time-varying elliptically polarized states in vertical-cavity surface-emitting lasers — •Thorsten Ackemann, Markus Sondermann, Salvador Balle, and Josep Mulet
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18:00 |
Q 9.7 |
Quantenrauschen und räumliche Emissionseigenschaften von Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes (RCLEDs) — •Richard Birkner, Joachim Kaiser, Wolfgang Elsässer und Christian Jung
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18:15 |
Q 9.8 |
GaSb–basierende Diodenlaser im externen Resonator um 2130 nm — •Ulf Henning Jacobs, Karsten Scholle, Ernst Heumann, Marcel Rattunde, Joachim Wagner und Günter Huber
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