Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 2: Elektrische und optische Eigenschaften II

DF 2.2: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 15:10–15:30, H11

Elektronenstrahlinduzierte Modifizierung optischer Festkörperspektren für Anwendungen in der Sensorik der elektrischen Feldstärke — •M. König¹, H. Balzer¹, R. Bauer², I. Sildos³ und U. Bogner¹ — ¹Institut Physik II, Uni Regensburg — ²BGS Beta-Gamma-Service, Saal/Donau — ³Institute of Physics, University of Tartu, Estonia

Für die optische Sensorik der elektrischen Feldstärke wurden in Diamant und Al₂O₃ spezielle Festkörperstörstellen (FKS) durch Bestrahlung mit 10 MeV Elektronen erzeugt. Grundlage der Methode ist der Einfluss elektrischer Felder auf stabile spektrale Löcher, die mit einem schmalbandigen Laser in die Nullphononlinie der FKS gebrannt werden. Wir konnten durch Elektronenbestrahlung und anschießendes Tempern Farbzentren als besonders geeignete FKS in natürlichen und künstlichen Diamantmaterialien mit N-Dotierung erzeugen. Zur Realisierung eines bildgebenden Verfahrens auf der Oberfläche von Hochleistungselektronikbauelementen soll ein Sensorfilm (Diamantpulver in Polymer) aufgetragen werden. Für die E-Feld-Sensorik in den gesinterten Al₂O₃-Keramiksubstraten der Bauelemente wurden sowohl Farbzentren als auch Mn⁴⁺-Ionen (die bei Mn-Dotierung nach Elektronenbestrahlung beobachtet wurden) untersucht.