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DS: Dünne Schichten

DS 21: Dünne Schichten für die Photovoltaik III

DS 21.3: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 16:15–16:30, HS 32

Modifikation elektronischer und chemischer Eigenschaften von TiO2 - Oberflächen durch Abscheidung extrem dünner oxidischer und sulfidischer Schichten — •H.-J. Muffler, A. Belaidi, M. Vogel, T. Guminskaya, Ch.-H. Fischer und Th. Dittrich — Hahn-Meitner-Institut, SE2, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Germany

Mittels des ILGAR (ion layer gas reaction) Verfahrens wurden extrem dünne hydroxidische (Al(OH)3, oxidische (Al2O3) und sulfidische (In2S3, CuxS) Schichten auf dünne TiO2 Schichten abgeschieden. Die TiO2 - Schichten wurden im sol - gel - Verfahren (sglux GmbH) hergestellt. Die Charakterisierung der Proben erfolgte nach Beschichten und Tempern in Luft bzw. in Ar/H2S - Atmosphäre mit XPS, Kelvin-Sonden und transienter und spektraler Photospannung. Je nach Oberflächenbehandlung variiert die Austrittsarbeit um bis zu 0.6 V und wechselt die Photospannung das Vorzeichen. Die Entstehung von Volumendefekten im TiO2 nach Tempern in H2S wird durch Aufbringen von Al2O3 stark unterdrückt. Die Korrelation zwischen elektronischen und chemischen Eigenschaften wird diskutiert.

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