Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.18: Poster
Montag, 8. März 2004, 16:30–19:00, Poster A
Mikroskopische Lumineszenzuntersuchungen an ZnMgO — •Sören Giemsch1, F. Bertram1, J. Christen1, Th. Gruber2 und A. Waag3 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität, — 2Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Albert Einstein Allee 45, — 3Institut für Halbleitertechnologie, Technische Universität
Im ternären Materialsystem MgZnO lässt sich die Bandlücke gezielt durch Erhöhung der Mg-Konzentration vergrößern. Zusätzlich ist mittels MgZnO das Wachstum von Heterostrukturen, wie z.B. Quantum Wells, möglich. MgZnO dient dabei als Barrierenmaterial und ZnO als aktive Schicht. Hier präsentieren wir Ergebnisse von ortsaufgelösten Kathodolumineszenzmessungen (KL) an einem MgZnO/ZnO Single Quantum Well (SQW). Die SQW-Struktur wurde auf einem ZnO/GaN/Saphir Template aufgewachsen. Sie besteht aus einer 350 nm dicken Mg0,06Zn0,94O Barrierenschicht und dem 2 nm dicken ZnO SQW. Als abschließende Deckschicht diente eine 50 nm starke MgZnO Schicht. Die Oberflächenmorphologie der SQW-Struktur ist überwiegend planar, besitzt jedoch hexagonale Krater (Dichte ca. 1,3 × 108 cm−2). Das Integrale KL-Spektrum zeigt drei spektrale Bereiche: die SQW- (3,383eV), Barrieren- (3,4542eV) und ZnO-Pufferlumineszenz (3,356 eV). Sowohl die SQW, wie auch die Barrierenlumineszenz, bestehen aus zwei spektral-separaten Anteilen: jeweils der niederenergetischere Peak dominiert; die höherenergetischere Linie kommt dagegen besonders an den hexagonalen Kratern zum Vorschein.