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Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.1: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 10:15–10:30, H14

Optische dielektrische Funktionen im Photonenenergiebereich (4,0 - 9,5) eV von (1120) ZnO untersucht mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie — •Rüdiger Schmidt-Grund1, Daniel Fritsch1, Mathias Schubert1, Bernd Rheinländer1, Heidemarie Schmidt1, Evgeni M. Kaidashev1, Michael Lorenz1, Craig M. Herzinger2 und Marius Grundmann11Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig — 2J. A. Woollam Co., Inc. 645 M Street, Suite 102, Lincoln, Nebraska, 68508m, USA

Wurtzit-ZnO ist attraktiv für Anwendungen in der Optoelektronik. Die Eigenschaften der E0-Band-Band Übergänge sowie der ordinäre und extraordinäre Brechungsindexverlauf im Transparenzbereich sind gut bekannt. Die Eigenschaften der höheren Band-Band Übergänge sind jedoch weitgehend unbekannt.

Die optischen dielektrischen Funktionen eines mittels gepulster Laser-Abscheidung (PLD, pulsed-laser-deposition) auf r-plane (1102) Al2O3 Substrat abgeschiedenen wurtzitischen a-plane (1120) ZnO-Dünn-Films wurden mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie im Energiebereich von 4,0 eV bis 9,5 eV bestimmt. Die dielektrischen Funktionen zeigen Strukturen, welche bereits an uniaxialen AlGaN beobachtet wurden und als E1-, E11-, E2-, and E0-Typ Band-Band Übergänge identifiziert wurden. Die aus der ellipsometrischen Modell-Analyse bestimmten energetischen Positionen dieser Übergänge werden mit Pseudopotential-Bandstruktur-Rechnungen verglichen.

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