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HL: Halbleiterphysik
HL 17: II-VI Halbleiter I
HL 17.9: Vortrag
Dienstag, 9. März 2004, 12:15–12:30, H14
Synthese und Charakterisierung von ZnO1−xSx — •Thorsten Krämer1, Angelika Polity1, Changzhong Wang1, Yunbin He1, Dietmar Hasselkamp1, Baker Faragis1, Bruno K. Meyer1, Ute Haboeck2 und Axel Hoffmann2 — 1I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — 2Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Dünne Schichten der ternären Legierung ZnO1−xSx wurden im gesamten Kompositionsbereich mittels Radiofrequenzkathodenzerstäubung auf Saphir- und Glassubstraten abgeschieden. Als Zerstäubungstarget wurde hierbei keramisches ZnS verwendet und Argon bzw. Sauerstoff wurden als Arbeits- bzw. Reaktivgas eingesetzt. Die Schichten wachsen in der Wurzitstruktur und sind c-Achsen orientiert, was durch XRD(X-ray diffraction)-Messungen gezeigt wurde. Ihr c-Achsenparameter variierte linear mit der Komposition, welche mit XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)- und RBS(rutherford backscattering)-Messungen bestimmt wurde. Ramanmessungen zeigten eine Verschiebung der spektralen Position der A1(LO)-Mode in Abhängkeit der Schichtzusammensetzung. Die Abhängigkeit der Bandlückenenergie von der Komposition konnte mit Absorptionsmessungen bestimmt werden. Hierbei wurde ein Bowingverhalten der Bandlücke beobachtet. Die niedrigsten Energien betragen 2,7 bis 2,8eV für eine Komposition von x=0,5. Der Bowingparameter beträgt etwa 2,5eV.