Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Organische Halbleiter
HL 23.2: Vortrag
Dienstag, 9. März 2004, 17:00–17:15, H13
Alterung organischer Feld-Effekt Transistoren mit Pentacen — •Christoph Pannemann, Thomas Diekmann und Ulrich Hilleringmann — Universität Paderborn, Fakultät EIM-E, Sensorik, Warburger Str. 100, D-33098 Paderborn
Organische Feld-Effekt Transistoren (OFET) wurden durch thermisches Verdampfen von Pentacen auf p-leitenden 100-Silizium-Substraten mit SiO2 als Dielektrikum hergestellt. Eine Alterung über neun Monate unter Laborbedingungen hatte deutlichen Einfluss auf die Ladungsträger Beweglichkeit, die on-off Rate, die Schwellspannung und den maximalen Einschaltstrom. Sauerstoff und Wasserdampf aus der Umgebungsluft erzeugen geladene Störstellen an den Korngrenzen der Kristallite des organischen Films. Trotz einer Abnahme des Einschaltstroms um drei und der Ladungsträger-Beweglichkeit um mehr als zwei Größenordnungen zeigten die OFETs über den gesamten Beobachtungszeitraum typisches Transistorverhalten. Eine thermische Nachbehandlung unter Vakuum-Bedingungen in einem anderen Experiment führte zu einer Verminderung der Ladungsträger Beweglichkeit und des maximalen Einschaltstroms sowie einer Verschiebung der Schwellspannung, verursacht durch Alterung vergleichbar mit dem dangling-bond Mechanismus in Silizium-Transistoren.