Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Heterostrukturen II

HL 25.3: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 18:30–18:45, H14

Strukturuntersuchungen an dünnen InAs/GaAs Schichten mittels Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •Ferdinand Streicher, Holger Eisele, Tai-Yang Kim, Jan Grabowski, Rainer Timm, Andrea Lenz, Konstantin Pötschke, Udo W. Pohl, Dieter Bimberg und Mario Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Mittels Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie (XSTM) wurde die Struktur dünner InAs/GaAs Quantentröge (wells) mit atomarer Auflösung untersucht. Hierbei wurde insbesondere die atomare Anordnung des InAs in den 0,6 - 1,8 ML dicken Schichten beobachtet. Ausgehend von lateralen Inhomogenitäten geben die Untersuchungen Auskunft über Ansätze von Inselbildungen, bevor das Quantenpunktwachstum bei ca. 1,8 ML einsetzt.

Weiterhin zeigt sich eine Intensivierung des elektrischen Kontrastes in den XSTM-Bildern mit zunehmender Schichtdicke, was auf die gleichzeitig wachsende Anzahl von quantisierten Zuständen in der Schicht zurückzuführen ist.