Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung
HL 27.5: Vortrag
Mittwoch, 10. März 2004, 16:15–16:30, H15
Verspannung und Wingtilt von ELOG GaN auf SiC Substraten — •Nikolaus Gmeinwieser1, Karl Engl1, Peter Gottfriedsen1, Ulrich T. Schwarz1, Josef Zweck1, Werner Wegscheider1, Stephan Miller2, Andreas Leber2, Andreas Weimar2, Alfred Lell2 und Volker Härle2 — 1Naturwissenschaftliche Fakultät II- Physik, Universität Regensburg — 2OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg
Zur Herstellung defektreduzierter GaN Schichten auf SiC Substraten verwenden wir den ELOG (epitaxial lateral overgrowth) Prozess. Die Flügel der ELOG-Streifen sind gegenüber den Fenstern weniger verspannt und weisen intensivere Photolumineszenz (PL) mit schmäleren Linienbreiten auf. TEM Aufnahmen zeigen über den ELOG-Maskenrändern eine hohe Dichte von Versetzungslinien, die entlang der ELOG-Streifen verlaufen und durch den Wingtilt der Proben verursacht werden. Micro-Photolumineszenz (µPL) Messungen ergaben im Bereich der Maskenränder und in den angrenzenden 2 µm der Flügel niedrigere PL-Intensität, höhere Linienbreiten und stärkere tensile Verspannung gegenüber sowohl den Fenstern als auch den Flügeln. Durch einen Wechsel des ELOG-Maskenmaterials von SiO2 zu SiNx konnte der Wingtilt um eine Größenordnung auf ca. 0,4 Grad reduziert werden. Die so hergestellten Proben zeigen kein Anzeichen reduzierter Materialqualität entlang der Maskenränder.