Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 3.10: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 12:30–12:45, H17

Untersuchung von GaSb/GaAs-Quantenpunkten mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •Jan Grabowski, R. Timm, H. Eisele, A. Lenz, S. K. Becker, T.-Y. Kim, L. Müller-Kirsch, K. Pötschke, U. W. Pohl, D. Bimberg und M. Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenberstr. 36, 10623 Berlin

GaSb-Quantenpunkte in einer GaAs-Matrix weisen eine Typ-II-Bandstruktur mit einer großen Bindungsenergie der Löcher, aber ungebundenen Elektronen auf. Dies führt zu einer hohen Exzitonenlebensdauer durch die räumliche Trennung der Ladungsträger, vielversprechend für die Anwendung in Speichern.

Eine sehr geeignete Methode, überwachsene Nanostrukturen in atomarer Auflösung zu untersuchen und somit sowohl strukturelle als auch chemische Informationen über das Probensystem zu erhalten, ist die Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM). Es wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) gewachsene GaSb-Quantenpunkte in GaAs mit XSTM untersucht und dabei die Form und Größe der Quantenpunkte bestimmt. Aus den gemessenen Daten konnten ebenso Informationen über die Stöchiometrie und Verspannung im Probensystem gewonnen werden. Die Auswertung der Daten ergibt eine inhomogene Antimonkonzentration in den Quantenpunkten von ∼ 75 − 100 % , wogegen die Benetzungsschicht durch stärkere Vermischung einen Antimonanteil von bis zu 35% aufweist. In unregegelmäßigen Abständen wurden zudem deutliche Unterbrechungen der Benetzungsschicht festgestellt.