Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 38: Halbleiterlaser II

HL 38.8: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 12:00–12:15, H14

Erhöhung der direkten Modulationsbandbreite durch Mehrsektionshalbleiterlaser — •Wolfgang Kaiser¹, Lars Bach¹, Johann Peter Reithmaier ¹, Alfred Forchel¹, Tommy W. Berg² und Biarne Tromborg² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²COM, Technical University of Denmark, DK-2800 Lyngby, Denmark

Im Halbleiterlaser ist die direkte Modulationsbandbreite durch die Rekombinationszeit der Ladungsträger begrenzt. Durch Ausnutzung höherer Resonanzen in Laserkavitäten kann die Modulationsbandbreite signifikant erhöht werden. Diese Resonanzen treten zusätzlich zur Elektron-Photon-Resonanz in der Modulationstransferfunktion auf. Aufbauend auf diesem Effekt wurde das CCIG (Coupled Cavity Injection Grating)-Laserkonzept entwickelt. Bei diesem Mehrsektionskonzept kann man diese Resonanzen durch Anpassung der Phase und der Kopplungsstärke und somit auch die Modulationsbandbreite gezielt kontrollieren. Für einen CCIG-Laser konnte mit einer direkten Modulationsbandbreite von 37 GHz der derzeitige Rekordwert auf GaInAsP/InP-Material bei einer Wellenlänge von 1,5 µm erreicht werden.