Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.2: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Herstellung einer lateralen Py/GaSb/InAs Spinventil-Geometrie — •M. Wahle¹, T. Last¹, S.F. Fischer¹, U. Kunze¹, C. Schwender² und H. Fouckhardt² — ¹Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum — ²FB Physik, TU Kaiserslautern, 67653 Kaiserslautern

Für den elektrischen Nachweis der Spinakkumulation in einem Halbleiter in lateraler Spinventil-Geometrie wird eine GaSb(5 nm)/InAs(15 nm)/AlSb(20 nm)-Heterostruktur mit hochremanenten Permalloy-(Py)-Elektroden kontaktiert. Aufgrund der Ausbildung einer Schottky-Barriere zwischen Py und GaSb kann diese als Tunnelbarriere zum InAs-Transportkanal dienen. Mittels Magnetotransportmessungen wurden die Elektronendichte n ≈ 1.5·10¹² cm⁻² und die mittlere Beweglichkeit µ ≈ 30000 cm²/Vs des 2DEGs im InAs bestimmt. Die Herstellung der lateralen Nanostrukturen erfolgt in drei Schritten. Eine Isolation des Ferromagnet-Halbleiter Kontaktes von der Metallkontaktierung wird durch Aufsputtern von 200 nm SiO₂ erzielt. In einem optischen Lithographieschritt wird ein 20 µm breites Kontaktfenster zum GaSb geöffnet. Die Py-Elektroden (Länge: 150 µm, Breiten: 2 µm, 0.4 µm, Abstand: 200 nm, Dicke: 30 nm) werden mittels Elektronenstrahllithographie, Elektronenstrahlverdampfung und anschließendem Lift-off über dieses Kontaktfenster gelegt. Erste Ergebnisse zum winkelabhängigen Magnetowiderstand werden präsentiert.