Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.55: Poster
Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A
BxGa1−x−yInyAs und InxGa1−xNyAs1−y als neuartige Absorbermaterialien in Dünnschichtsolarzellen — •Claudia Krahmer, Gunnar Leibiger, Helmut Herrnberger und Volker Gottschalch — Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig
(BGaIn)As- und (InGa)(NAs)- Mischkristalle, gitterangepasst an (001) GaAs-Substrate, sind infolge der Reduzierung der Bandlückenenergie gegenüber GaAs potentielle Absorbermaterialien für Dünnschichtsolarzellen.
Mittels MOVPE (Metallorganische Gasphasen-Epitaxie) wurde unter Verwendung von Trimethylgallium, Trimethylindium, Triethylbor, Dimethylhydrazin, Diethylzink und Disilan p- und n- leitendes BxGa1−x−yInyAs und InxGa1−xNyAs1−y bei 550∘C bzw. 560∘C auf GaAs abgeschieden. Der Einfluss des Zn- und Si- Einbaus auf das epitaktische Wachstum konnte ermittelt werden.
Die veränderten Solarzelleneigenschaften bei Verwendung von (InGa)(NAs)- bzw. (BGaIn)As- Absorberschichten werden diskutiert. Als Vergleich dienten GaAs- Solarzellen verschiedener Struktur, die im Hinblick auf die Optimierung der Zellen gezüchtet wurden.