Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.76: Poster
Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A
Herstellung und Vermessung von lateralen p-n-Übergängen — •C. Werner, C. Werner, D. Reuter, A.D. Wieck, D. Reuter und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik der Ruhr-Universität Bochum
Wir haben auf Basis von Al0,33Ga0,67As/In0,1Ga0,9As/GaAs-Heterostrukturen laterale p-n-Übergänge erzeugt, indem wir eine in der MBE gewachsene und mit Kohlenstoff modulationsdotierte Heterostruktur überkompensiert haben. Dieses geschieht durch lokale Implantation von Silizium-Atomen in einer Anlage zur Erzeugung fokussierter Ionenstrahlen. Für laterale p-n-Übergänge wurden interessante Voraussagen bezüglich des Verhaltens der Ausbreitung der Verarmungszone und der Sperrschichtkapazität als Funktion der angelegten Sperrspannung gemacht. So sollte sich die Verarmungszone linear mit der Sperrspannung ausbreiten [1, 2]. Um dies nachzuprüfen, wurde an diesen Proben der optisch induzierte Sperrstrom gemessen und daraus die Länge der Verarmungszone bestimmt. Die Sperrschichtkapazität hingegen sollte nur sehr schwach von der Sperrspannung abhängen [2]. Dieses wurde mittels Kapazitätsmessungen überprüft.
[1] U. Dötsch, A.D. Wieck, Nanodevices produced with focussed ion beams, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 139, 12 (1998)
[2] A.Sh. Achoyan et al., Two-Dimensional p-n Junction under Equlibrium Conditions, Semiconductors 36, 903 (2002)