Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.88: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Epitaktisch gewachsene Palladium-Kontakte auf p-GaN (0001) — •Andreas Tausendfreund, Jens Dennemarck, Tim Böttcher, Sven Einfeldt und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen

Die Realisierung niederohmiger Kontakte auf p-GaN ist bis zum heutigen Tag eine große technische Herausforderung. Die Vorbehandlung der p-GaN-Oberfläche und die abschließende thermische Behandlung der Kontakte spielen hierbei die wesentliche Rolle und werden in dieser Arbeit systematisch untersucht. Zur Reinigung der in der Metallorganischen Dampfphasenepitaxie (MOVPE) erzeugten p-GaN-Oberflächen kamen verschiedene Naßätz- und Plasmareinigungsverfahren zur Anwendung. Diese vorbehandelten Oberflächen wurden mit Hilfe der Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie bezüglich Deoxidation und Passivierung gegenüber Oxidation untersucht. Danach wurden dünne Palladium-Filme verschiedener Dicke in der Molekularstrahlepitaxieanlage (MBE) aufgebracht und deren Wachstum über Reflexionselektronenbeugung (RHEED) und Rasterkraftmikroskopie (AFM) kontrolliert. Es konnte gezeigt werden, dass ein relaxierter Palladium-Film epitaktisch unter Bildung einer zweidimensionalen Terassenstruktur in (111)-Richtung aufwächst. Die gewachsenen Palladium-Kontakte wurden mit Gold bedampft und die gemessenen Kontaktwiderstände in Abhängigkeit von der Vorbehandlung und der thermischen Nachbehandlung untersucht.