Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Transporteigenschaften
HL 5.5: Vortrag
Montag, 8. März 2004, 11:15–11:30, H14
Bistabiles Schalten in asymmetrischen Y-Schaltern — •David Hartmann, Stephan Reitzenstein, Lukas Worschech und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
Wir stellen ein neuartiges Konzept eines planaren Nanoschalters vor und demonstrieren, dass dessen Gate-Effektivität dynamisch über einen intrinsischen Rückkopplungsmechanismus zwischen Drain und Gate erhöht wird. Der Nanoschalter basiert auf einer Y-förmigen Kanal-Verzweigung [1]. Im lateralen elektrischen Feld asymmetrisch betrieben stellt sich heraus, dass ein Ast die Funktion eines effektiven Gates erfüllt. Zum Beispiel werden Spannungsvariationen dVg an einem Ast in Spannungsänderungen dVd an dem zweiten Ast mit einer differentiellen Spannungsverstärkung g = −dVg/dVd von mehr als 1000 verstärkt. Unsere Analyse zeigt, dass Änderungen der Ausgangsspannung die Zustandsdichte des Gates und somit die Quantenkapazität drastisch verändert. Die positive Rückkopplung bewirkt bei Variation der Gatespannung eine Zunahme der Verstärkung bis hin zum bistabilen Schalten.
[1] S. Reitzenstein, L. Worschech, P. Hartmann, M. Kamp, A. Forchel, Phys. Rev. Lett. 89, 226804 (2002)