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HL: Halbleiterphysik

HL 52: SiC II

Freitag, 12. März 2004, 12:15–13:00, H17

12:15 HL 52.1 Wird Coimplantation von Donatoren (P, N) mit Si oder C in 4H-SiC dominiert vom Site-competition-Effekt oder der Erzeugung elektrisch neutraler Defekte? — •Frank Schmid und Gerhard Pensl
12:30 HL 52.2 Störbandleitung in Al-dotiertem 6H-SiC — •Michael Krieger, Kurt Semmelroth und Gerhard Pensl
12:45 HL 52.3 Low Density of Interface States in 4H-SiC MOS Capacitors Generated by Nitrogen Implantation — •Florin Ciobanu, Gerhard Pensl, Valeri Afanas’ev, and Günter Wagner
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