Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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MA: Magnetismus

MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)

MA 13.6: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 15:00–19:00, Bereich A

Spinpolarisation in dünnen Co₂MnSi Filmen — •Firmin Leutloff, Sven Kämmerer, Andreas Hütten und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Universitätsstrasse 25, 33615 Bielefeld

Bei der Suche nach hoch spinpolarisierten Materialien ist Co₂MnSi ein vielversprechender Kandidat. Zum einen wird dieser Heuslerlegierung eine Spinpolarisation von 100% theoretisch vorausgesagt, zum anderen ist die hohe Curietemperatur vorteilhaft für Anwendungen. Nachdem an relativ dicken Schichten (≈ 100nm) eine Spinpolarisation von 34% bei Raumtemperatur und 61% bei 10K mittels MTJs gemessen wurde, wird nun Stöchiometrie und Qualität des Grenzflächenbereichs zur Aluminiumoxidbarriere untersucht. Um außer der im Vergleich zu Co-Schichten sehr hohen Spinpolarisation ein weiteres Indiz dafür zu besitzen, daß wir keine nicht-stöchiometrischen Aussscheidungen an der Grenzfläche zur Barriere besitzen, wurde eine Co-Schicht zwischen Barriere und Heuslerlegierung eingefügt. Beobachtet werden konnte ein drastischer Abfall der TMR-Amplitude bei sehr geringer Co-Anreicherung, bevor hin zu größeren Schichtdicken die TMR-Amplitude in die einer Einzelkoba! ltschicht sättigt. Unterstützend wurden AES-Messungen durchgeführt, die eine der Heuslerlegierung entsprechende Stöchiometrie bestätigten. Zur weiteren Optimierung der Spinpolarisation wird momentan die Abhängigkeit der Spinpolarisation von der Heuslerschichtdicke untersucht.