Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)
O 28.27: Poster
Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–19:00, Bereich C
Photoelektronenbeugung an der oxidierten 4H-SiC(0001) Oberfläche — •M. Schürmann, S. Dreiner, U. Berges, M. Krause und C. Westphal — Universität Dortmund, Experimentelle Physik I, 44221 Dortmund
SiC ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke. Aufgrund seiner Eigenschaften ist es hervorragend geeignet zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, die bei hohen Temperaturen, mit hohen Strömen und hohen Frequenzen betrieben werden können. In diesem Zusammenhang gewinnt auch die Kenntnis über die Struktur an der SiO2/SiC-Grenzfläche an Bedeutung. In einer Photoelektronenbeugungsuntersuchung wurden Beugungsmuster an einer oxidierten 4H-SiC(0001) Oberfläche aufgenommen. Am U41-PGM Meßplatz bei BESSY II stand Synchrotonstrahlung mit hohem Photonenfluß und guter Energieauflösung zur Verfügung. Dadurch war es möglich die einzelnen, chemisch verschobenen Komponenten in den XPS-Spektren aufzulösen und unterschiedliche Beugungsmuster aufgrund der unterschiedlichen lokalen Umgebung der Emitter zu erhalten. Ein Vergleich mit Simulationsrechnungen gibt Aufschluß über ihren Ursprung und die atomare Struktur in der SiO2/SiC-Grenzfläche.