Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)

O 28.28: Poster

Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–19:00, Bereich C

Si2p-Photoemissionsspektroskopie an der SiO₂/Si(100)-Grenzfläche — •S. Dreiner, M. Schürmann, M. Krause, U. Berges und C. Westphal — Universität Dortmund, Experimentelle Physik I, 44221 Dortmund

Die SiO₂/Si Grenzfläche spielt eine wichtige Rolle in der modernen Halbleiterindustrie. Ein genaues Verständnis der Grenzschichtstruktur kann zur Verbesserung der Qualität von Halbleiterbauelementen beitragen.
Die untersuchten SiO₂/Si(100) Schichten mit einer Dicke von wenigen Ångström wurden durch thermische Oxidation erzeugt. Mit Synchrotronstrahlung (BESSY II, U41 PGM) wurden hochaufgelöste Si2p-Photoemissionsspektren über dem gesamten Halbraum bei einer Photonenenergie von hν = 180 eV aufgenommen. Diese Spektren ermöglichen durch Anpassungsroutinen die Trennung der Si-Oxidationszustände (Si¹⁺, Si²⁺, Si³⁺, Si⁴⁺) vom Volumensignal (Si^B). Dabei zeigt sich, dass zwei weitere Komponenten (Si^α, Si^β) für eine verbesserte Anpassung nötig sind. Um den Ursprung dieser Komponenten zu ermitteln wird die Winkelabhängigkeit dieser Signale analysiert. Dazu werden die gemessenen Photoelektronenbeugungsmuster mit Vielfachstreusimulationen verglichen.