Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)
O 28.28: Poster
Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–19:00, Bereich C
Si2p-Photoemissionsspektroskopie an der SiO2/Si(100)-Grenzfläche — •S. Dreiner, M. Schürmann, M. Krause, U. Berges und C. Westphal — Universität Dortmund, Experimentelle Physik I, 44221 Dortmund
Die SiO2/Si Grenzfläche spielt eine wichtige
Rolle in der modernen Halbleiterindustrie. Ein genaues Verständnis
der Grenzschichtstruktur kann zur Verbesserung der Qualität von
Halbleiterbauelementen beitragen.
Die untersuchten
SiO2/Si(100) Schichten mit einer Dicke von wenigen Ångström
wurden durch thermische Oxidation erzeugt. Mit
Synchrotronstrahlung (BESSY II, U41 PGM) wurden hochaufgelöste
Si2p-Photoemissionsspektren über dem gesamten Halbraum bei einer
Photonenenergie von hν = 180 eV aufgenommen.
Diese Spektren ermöglichen durch Anpassungsroutinen die Trennung der
Si-Oxidationszustände (Si1+, Si2+, Si3+, Si4+)
vom Volumensignal (SiB). Dabei zeigt sich, dass zwei weitere
Komponenten (Siα, Siβ) für eine verbesserte
Anpassung nötig sind. Um den Ursprung dieser Komponenten zu
ermitteln wird die Winkelabhängigkeit dieser Signale analysiert.
Dazu werden die gemessenen Photoelektronenbeugungsmuster mit
Vielfachstreusimulationen verglichen.