Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)

O 28.29: Poster

Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–19:00, Bereich C

Indium- und Indiumselenid-terminierte Si(111)-Oberflächen als neuartige Pufferschichten in der Heteroepitaxie — •Stefan Andres, Wolfram Calvet, Tilo Plake und Christian Pettenkofer — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin

Zur Passivierung von Silizium-Substraten für die Heteroepitaxie sind III-VI terminierte Oberflächen von grossem Interesse. Wir präsentieren erste Ergebnisse dünner In- bzw. InSe-Schichten auf Si(111). Die Präparation der Proben erfolgte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf H-Si(111)1x1-, Si(111)7x7- und definiert nasschemisch oxidierten Si(111)-Substraten. Die Schichten wurden in situ mittels Photoelektronenspektroskopie (PES), niederenergetischer Elektronenbeugung (LEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) bezüglich ihrer Morphologie und elektronischen Struktur analysiert. Es wurde zunächst der Einfluss von elementarem Indium auf Si(111) untersucht. Im weiteren Prozess erfolgte durch sukzessives Koverdampfen von In und Se die Herstellung einer InSe-terminierten 1x1-Oberfläche. Es zeigt sich, dass InSe in einer sogenannten Halblage aufwächst, wobei die In-Atome direkt an die Si-Oberfläche gebunden sind. Eine Selenisierung der Si-Oberfläche findet nicht statt. Die Energetik der Grenzfläche wird bezüglich Bandversatz und Grenzflächendipolen bestimmt.