Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 23: Postersitzung I
DS 23.23: Poster
Freitag, 4. März 2005, 16:00–18:30, Poster TU B
Nickelsegregation nach Sauerstoff-Ionenimplantation in NiTi — •Melanie Kitzing1, Jürgen W. Gerlach1, Mattias Schubert2, Walter Assmann3, Stephan Mändl1 und Bernd Rauschenbach1 — 1Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung, Leipzig, Germany — 2Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Leipzig, Germany — 3Beschleunigerlabor, Ludwig-Maximilians-Universität, Garching, Germany
Superelastische Formgedächtnismaterialien besitzen ein weites Anwendungsfeld in der Medizintechnik. Allerdings können bei NiTi negative Langzeiteffekte im Körper durch Nickelausdiffusion noch nicht ganz ausgeschlossen werden. In der natürlichen Oberflächenoxidschicht, die gleichzeitig als Diffusionsbarriere dient, findet sich nur eine partielle Nickelverarmung. Sauerstoffionenimplantation mit Plasmaimmersionsionenimplantation führt hingegen im Temperaturbereich von 250 bis 550 ∘C zu einer vollständigen Verdrängung des Ni aus dem Oberflächenbereich und der Bildung einer Rutilschicht aufgrund von strahlungsinduzierten Effekten, wie durch elastische Streuung mit schweren Ionen (ERDA) und Ramanspektroskopie nachgewiesen wurde. Mit steigender Temperatur findet man ein Wachstum der Kristallite sowie eine Tendenz den Ni-Konzentrationsgradienten durch thermische Diffusion wieder abzubauen.