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DS: Dünne Schichten
DS 8: Ionen-Festkörper-Wechselwirkung I
DS 8.6: Talk
Saturday, March 5, 2005, 16:30–16:45, TU HS107
Kinetik des Selbstorganisationsvorganges bei der Bildung von SiCx-Ausscheidungs-Arrays in C+-Ionen-implantiertem Silizium — •Frank Zirkelbach, Maik Häberlen, Jörg K.N. Lindner und Bernd Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, Universitätsstr. 1, 86135 Augsburg
Die Implantation von C+-Ionen in Silizium führt bei hinreichend hohen Dosen und geeigneten Implantationstemperaturen zur Bildung regelmäßig angeordneter Ensembles aus nanometrischen, sphärischen bzw. lamellaren amorphen SiCx-Ausscheidungen in kristalliner Si-Matrix. Dieser Vorgang kann mittels eines Modells beschrieben und durch einen Monte-Carlo-Simulationscode nachvollzogen werden. Hierbei werden Mechanismen wie die ballistische, Kohlenstoff-induzierte und spannungsunterstützte Amorphisierung, Kohlenstoff-Diffusion und Segregation in amorphen Einschlüssen, sowie die Rekristallisation kohlenstoffarmer Bereiche berücksichtigt. Der Einfluss jedes einzelnen dieser Mechanismen auf die Verteilung amorpher Einschlüsse kann durch Variation der Modellparameter untersucht werden. Geeignete Modellparameter reproduzieren experimentell beobachtete Ausscheidungsverteilungen und erlauben es, die Kinetik des Selbstorganisationsvorgangs zu analysieren.