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DS: Dünne Schichten
DS 8: Ionen-Festkörper-Wechselwirkung I
DS 8.7: Talk
Saturday, March 5, 2005, 16:45–17:00, TU HS107
Herstellung von Silizium und Stickstoff dotierten a–C:H Schichten mittels PIII&D — •Florian Schwarz1,2, Götz Thorwarth1,2, Claus Hammerl2, Marcus Kuhn2 und Bernd Stritzker1 — 1Lehrstuhl für Experimentalphysik IV, UniversitätAugsburg, 86135 Augsburg — 2AxynTeC DünnschichttechnikGmbH, Am Mittleren Moos 48, 86167 Augsburg
Diamantähnlicher Kohlenstoff (DLC) in der wasserstoffhaltigen Variante (a–C:H) gelangt dank seiner guten mechanischen und chemischen Eigenschaften zunehmend zu industrieller Anwendung. Trotzdem sind zusätzliche, gezielt einstellbare Eigenschaften, wie elektrische Leitfähigkeit und geringe Benetzbarkeit wünschenswert.
Dazu wurden mittels der Plasma Immersions Ionenimplantation
und Deposition (PIII&D) silizium- und
stickstoffhaltige a–C:H Schichten hergestellt. Basierend auf den
Ergebnissen der beiden Dotiervarianten
a–C:H:Si und
a–C:H:N wurden die mögliche Realisierung von Nanokompositen aus
Si3N4 in einer a–C:H Matrix untersucht. Die Analyse der
Schichten umfasste sowohl RBS, XRD, TEM und Raman Spektroskopie,
als auch Nanohärte-, Leitfähigkeits- und
Kontaktwinkelmessungen.