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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.48: Poster

Friday, March 4, 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Elektrische Charakterisierung von (Ga,Mn)As — •SAFAK GÖK¹, Hartmut Zabel² und Andreas Wieck¹ — ¹Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum — ²Experimentalphysik/Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum

An ferromagnetische (Ga,Mn)As-Proben, die mit der Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Technik hergestellt wurden, wurden Magnetotransportmessungen durchgeführt. Wir zeigen das Verhalten des Magnetowiderstandes und des Hallwiderstandes in Abhängigkeit von Temperatur. Unterhalb der Curie-Temperatur ( 76K) zeigen die Proben einen sehr starken negativen Magnetowiderstand. Bei höheren Temperaturen wird der Magnetowiderstand kleiner und wir beobachten auch ein Bereich mit positivem Magnetowiderstand für B=0T. Unserer Ziel ist ähnliche magnetische Halbleiter ortsaufgelöst herzustellen. Wir benutzen fokusierte Ionenstrahlen, um in das GaAs-Gitter magnetische Ionen einzubauen. Die ersten Ergebnisse bezüglich der Morphologie und Zusammensetzung der implantierten Bereiche werden vorgestellt.