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Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.6: Poster

Friday, March 4, 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Brechungsindex von kubischem MgxZn1−xO — •Anke Carstens1, Rüdiger Schmidt-Grund1, Bernd Rheinländer1, Mathias Schubert1, Holger Hochmuth1, Michael Lorenz1, Craig M. Herzinger2 und Marius Grundmann11Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig — 2J. A. Woollam Co., Inc. 645 M Street, Suite 102, Lincoln, Nebraska, 68508, USA

MgxZn1−xO ist attraktiv für Anwendungen als aktives Material in optoelektronischen Bauelementen, in Bragg-Reflektoren und als Material für optische Bauteile im UV-Bereich. Spektroskopische Ellipsometrie wurde im Spektralbereich von 0,75 eV bis 9,5 eV auf MgxZn1−xO-Dünnfilme angewendet, die mittels PLD (pulsed laser deposition) auf c-orientierten Al2O3 Substraten abgeschiedenen worden waren.

Der Brechungsindex wurde an Proben mit verschiedener Mg-Konzentration (0.67 ≤ x ≤ 1) im Spektralbereich zwischen 0,75 eV und 0,9EG(x) mit einer Genauigkeit von typisch ±0,02 bestimmt. Einflüsse der Oberflächenrauhigkeit wurden mittels verallgemeinerter Ellipsometrie (Mueller-Matrix-Analyse) untersucht und in die Brechungsindex-Analyse einbezogen.

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