Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: SiC

Saturday, March 5, 2005, 12:30–13:15, TU P-N229

	12:30	HL 26.1	Growth of oxynitrides on Si-rich 4H-SiC(0001) surfaces — •Patrick Hoffmann, Andriy Goryachko, and Dieter Schmeißer
	12:45	HL 26.2	Dotieratom-Interstitials in 4H-SiC — •A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov
	13:00	HL 26.3	Bildung und Eigenschaften von Stapelfehlern in Stickstoff dotiertem 4H-SiC — •Klaus Irmscher, Martin Albrecht, Matthias Roßberg, Hans-Joachim Rost, Dietmar Siche und Günter Wagner