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Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: GaN: Bauelemente

HL 31.5: Talk

Saturday, March 5, 2005, 16:00–16:15, TU P-N201

AlInN-basierte elektronische und optoelektronische Bauelemente — •Armin Dadgar1, Martin Neuburger2, Fabian Schulze1, Jürgen Bläsing1, André Krtschil1, Hartmut Witte1, Annette Diez1, Mike Kunze3, Ingo Daumiller3, Erhard Kohn2 und Alois Krost11Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg — 2University of Ulm, Department of Electron Devices and Circuits, Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm — 3MicroGaN GmbH, Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm

Für elektronische (FET) und optoelektronische (RCLED, VCSEL) Bauelemente ist die Verwendung von AlInN aufgrund der Möglichkeit, dieses gitterangepaßt auf GaN zu wachsen, äußerst interessant. So sind von Al-reichen AlInN Schichten bei Verwendung in FETs hohe Polarisationsladungen aufgrund der hohen spont. Polarisation an der Grenzfläche zum GaN zu erwarten. Tatsächlich zeigen AlInN/GaN gegenüber AlGaN/GaN FETs deutlich höhere 2D Ladungsträger- (>2x1013cm−3) und Leistungsdichten (>4.4 W/mm). Durch die Veränderung der Verspannung des AlInN kann dabei der Anteil der piezoel. Polarisation so gewählt werden, daß sie die in diesem Material sehr starke spont. Polarisation verstärkt oder abschwächt, was sich in den 2D Trägerdichten widerspiegelt. Für Braggreflektoren ist dieses Material durch die Möglichkeit, verspannungsarm und somit im Gegensatz zum AlGaN/GaN System rißfrei zu wachsen, sehr interessant. Wir zeigen rißfreie 40-fach AlInN/GaN Braggreflektoren mit hohen Reflektivitäten und diskutieren anhand von 10-fach Reflektoren den Einfluß der Prozeßführung auf die Reflektivität.

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