Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: II-VI Halbleiter IV

HL 44.2: Vortrag

Montag, 7. März 2005, 15:15–15:30, TU P-N201

Ortsaufgelöste Lumineszenzuntersuchungen an epitaktisch gewachsenem ZnO — •F. Bertram, S. Giemsch, J. Christen, A. Dadgar und A. Krost — Inst. für Exp. Physik, Otto-von-Guericke-Universität, PF 4120, D-39016 Magdeburg

Wir präsentieren mikroskopisch-ortsaufgelöste Kathodolumineszenzmessungen (KL) an einer 7 µm dicken, epitaktisch gewachsenen ZnO-Schicht. ZnO wurde mittels MOVPE über Anpassungsschichten auf einem GaN/Saphir Template abgeschieden. Die Probenoberfläche ist planar, unterbrochen durch zwei Defektarten (Dichte 7× 10⁶ cm⁻²). Man findet hexagonale Krater (Ø ca. 3 µm) und ausgedehnte Vertiefungen mit Querstegen. Am Rand kommt es zu einer Überhöhung. Das KL-Spektrum (T=5K) besteht aus scharfen exzitonischen Linien FX, I2/I3, I8 und I9. Die Verteilung der verschiedenen Rekombinationskanäle korreliert direkt mit der Morphologie. FX und I8 sind gleichmäßig über der planaren Oberfläche verteilt. An den Kratern kommt es zu einer Bandverschiebung zu kleineren Energien. Die Intensität von I8 sinkt hier rapide ab (interne Felder). Gleichzeitig wird I2/I3 an den Randüberhöhungen intensiver (präferentieller Einbau von Störstellen).