Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 46: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung I
HL 46.5: Vortrag
Montag, 7. März 2005, 17:45–18:00, TU P164
Untersuchung von InAs/GaAs - Quantenpunkten mit Rastertunnelspektroskopie an Querschnittsflächen — •L. Ivanova1, R. Timm1, A. Lenz1, M. Müller1, H. Eisele1, M. Dähne1, O. Schumann2, L. Geelhaar2 und H. Riechert2 — 1Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, PN4-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Infineon Technologies, Corporate Research Photonics, 81730 München
Die Rastertunnelspektroskopie (STS) ermöglicht den Zugang zu den lokalen elektronischen Eigenschaften einer Oberfläche. Für die Untersuchung der lokalen Zustandsdichte als Funktion von Ort und Spannung können der Tunnelstrom und seine Ableitung verwendet werden.
Mittels Querschnitts-Rastertunnelspektroskopie (XSTS) wurden vergrabene InAs Quantenpunkt-Doppelstapel in GaAs untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) mit geringer Stickstoffbeimischung gewachsen wurden. Der Stickstoff wurde dabei außerhalb der Bandlücke detektiert, was dafür spricht, dass er einen Störstellencharakter besitzt. STS-Bilder eines Quantenpunktes zeigen bei verschiedenen Spannungen eine Kontrastumkehr und unterschiedliche Zustandsdichteverteilungen.